FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
IXTA26P10T
Модель：
IXTA26P10T
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Littelfuse / IXYS RF
Описание：
MOSFET P-CH 100V 26A TO263
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 250µA
- Рассеиваемая мощность (макс.) 150W (Tc)
- Пакет/кейс TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- ВГС (Макс) ±15V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 52 nC @ 10 V
- Пакет устройств поставщика TO-263AA
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 26A (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3820 pF @ 25 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 90mOhm @ 13A, 10V
