FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
IXTP1N120P
Модель：
IXTP1N120P
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Wickmann / Littelfuse
Описание：
MOSFET N-CH 1200V 1A TO220AB
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет/кейс TO-220-3
- Пакет устройств поставщика TO-220-3
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 1200 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17.6 nC @ 10 V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 50µA
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1A (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 550 pF @ 25 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 63W (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 20Ohm @ 500mA, 10V
