FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
IXTU2N80P
Модель：
IXTU2N80P
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Littelfuse / IXYS RF
Описание：
MOSFET N-CH 800V 2A TO251
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- ВГС (Макс) ±30V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2A (Tc)
- Пакет/кейс TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 800 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 70W (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 10.6 nC @ 10 V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5.5V @ 50µA
- Пакет устройств поставщика TO-251AA
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 440 pF @ 25 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 6Ohm @ 1A, 10V
