NDD02N40-1G

NDD02N40-1G

Модель: NDD02N40-1G
Описание: MOSFET N-CH 400V 1.7A IPAK
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: -
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Through Hole
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 400 V
  • Пакет/кейс TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
  • Пакет устройств поставщика IPAK
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 39W (Tc)
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1.7A (Tc)
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 5.5 nC @ 10 V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5.5Ohm @ 220mA, 10V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 121 pF @ 25 V