NDDP010N25AZ-1H

NDDP010N25AZ-1H

Модель: NDDP010N25AZ-1H
Описание: MOSFET N-CH 250V 10A IPAK/TP
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: -
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Through Hole
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Пакет/кейс TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • ВГС (Макс) ±30V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 250 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 16 nC @ 10 V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10A (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.5V @ 1mA
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 420mOhm @ 5A, 10V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 980 pF @ 20 V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1W (Ta), 52W (Tc)
  • Пакет устройств поставщика IPAK/TP