FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
NDT01N60T1G
Модель：
NDT01N60T1G
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Описание：
MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- ВГС (Макс) ±30V
- Пакет/кейс TO-261-4, TO-261AA
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2.5W (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 160 pF @ 25 V
- Пакет устройств поставщика SOT-223 (TO-261)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 400mA (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7.2 nC @ 10 V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.7V @ 50µA
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 8.5Ohm @ 200mA, 10V
