FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
NMSD200B01-7
Модель：
NMSD200B01-7
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT363
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
- ВГС (Макс) ±20V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет устройств поставщика SOT-363
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V, 10V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 200mA (Ta)
- Особенность полевого транзистора Schottky Diode (Isolated)
- Рассеиваемая мощность (макс.) 200mW (Ta)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 1mA
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 50 pF @ 25 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3Ohm @ 50mA, 5V
