FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
NP33N06YDG-E1-AY
Модель：
NP33N06YDG-E1-AY
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
- ВГС (Макс) ±20V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
- Рабочая Температура 175°C (TJ)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 33A (Tc)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 5V, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3900 pF @ 25 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 78 nC @ 10 V
- Пакет устройств поставщика 8-HSON
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 14mOhm @ 16.5A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 1W (Ta), 97W (Tc)
