NTLJS3A18PZTXG

NTLJS3A18PZTXG

Модель: NTLJS3A18PZTXG
Описание: MOSFET P-CH 20V 5A 6WDFN
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: -
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Пакет/кейс 6-WDFN Exposed Pad
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
  • ВГС (Макс) ±8V
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.5V, 4.5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 28 nC @ 4.5 V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 700mW (Ta)
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5A (Ta)
  • Пакет устройств поставщика 6-WDFN (2x2)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 18mOhm @ 7A, 4.5V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2240 pF @ 15 V