FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
NTMFS6B05NT1G
Модель：
NTMFS6B05NT1G
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Описание：
MOSFET N-CH 100V 16A/104A 5DFN
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
- Пакет/кейс 8-PowerTDFN, 5 Leads
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 44 nC @ 10 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 16A (Ta), 104A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 8mOhm @ 20A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3100 pF @ 50 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 3.3W (Ta), 138W (Tc)
