NTNS3A65PZT5G

NTNS3A65PZT5G

Модель: NTNS3A65PZT5G
Описание: MOSFET P-CH 20V 281MA SOT883
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
  • ВГС (Макс) ±8V
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.5V, 4.5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1.1 nC @ 4.5 V
  • Пакет/кейс 3-XFDFN
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 281mA (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 44 pF @ 10 V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 155mW (Ta)
  • Пакет устройств поставщика SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)