FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
NVD4856NT4G
Модель：
NVD4856NT4G
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Описание：
MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Оценка Automotive
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Квалификация AEC-Q101
- Пакет/кейс TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Пакет устройств поставщика DPAK
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 25 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 27 nC @ 4.5 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 13.3A (Ta), 89A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4.7mOhm @ 30A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2241 pF @ 12 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 1.33W (Ta), 60W (Tc)
