FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
NVD6416ANLT4G-VF01
Модель：
NVD6416ANLT4G-VF01
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Описание：
MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Оценка Automotive
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Квалификация AEC-Q101
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 250µA
- Пакет/кейс TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1000 pF @ 25 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 71W (Tc)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 19A (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 40 nC @ 10 V
- Пакет устройств поставщика DPAK-3
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 74mOhm @ 19A, 10V
