NVD6820NLT4G

NVD6820NLT4G

Модель: NVD6820NLT4G
Описание: MOSFET N-CH 90V 10A/50A DPAK
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Оценка Automotive
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Квалификация AEC-Q101
  • Пакет/кейс TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
  • Пакет устройств поставщика DPAK
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 90 V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10A (Ta), 50A (Tc)
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 4W (Ta), 100W (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 16.7mOhm @ 20A, 10V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4209 pF @ 25 V