FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
NVE4153NT1G
Модель：
NVE4153NT1G
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Описание：
MOSFET N-CH 20V 915MA SC89
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Оценка Automotive
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Квалификация AEC-Q101
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.5V, 4.5V
- Пакет/кейс SC-89, SOT-490
- ВГС (Макс) ±6V
- Пакет устройств поставщика SC-89-3
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.1V @ 250µA
- Рассеиваемая мощность (макс.) 300mW (Tj)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 915mA (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 230mOhm @ 600mA, 4.5V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1.82 nC @ 4.5 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 110 pF @ 16 V
