NVMFS5832NLWFT1G

NVMFS5832NLWFT1G

Модель: NVMFS5832NLWFT1G
Описание: MOSFET N-CH 40V 21A 5DFN
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Оценка Automotive
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 40 V
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Квалификация AEC-Q101
  • Пакет устройств поставщика 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Пакет/кейс 8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.4V @ 250µA
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 51 nC @ 10 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2700 pF @ 25 V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 20A, 10V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 21A (Ta)
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 3.7W (Ta), 127W (Tc)