FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
NVTFS4C25NTAG
Модель：
NVTFS4C25NTAG
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Описание：
MOSFET N-CH 30V 10.1A/22.1A 8DFN
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Оценка Automotive
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Квалификация AEC-Q101
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.2V @ 250µA
- Пакет устройств поставщика 8-WDFN (3.3x3.3)
- Пакет/кейс 8-PowerWDFN
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10.1A (Ta), 22.1A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 17mOhm @ 10A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 10.3 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 500 pF @ 15 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 3W (Ta), 14.3W (Tc)
