FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет/кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Пакет устройств поставщика TO-236AB
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.1V @ 250µA
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 190mA (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 100mA, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 0.43 nC @ 4.5 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 17 pF @ 10 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
