PH5525L,115

PH5525L,115

Модель: PH5525L,115
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK56
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 25 V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2.15V @ 1mA
  • Пакет устройств поставщика LFPAK56, Power-SO8
  • Пакет/кейс SC-100, SOT-669
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 25A, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 62.5W (Tc)
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 81.7A (Tc)
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 16.6 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2150 pF @ 12 V