FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Пакет устройств поставщика 8-SO
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.15V @ 1mA
- Рассеиваемая мощность (макс.) 6.9W (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 25A, 10V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30.4A (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4235 pF @ 12 V
