FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс 6-UFDFN Exposed Pad
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
- ВГС (Макс) ±12V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.7A (Ta)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8.6 nC @ 4.5 V
- Особенность полевого транзистора Schottky Diode (Isolated)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V
- Пакет устройств поставщика 6-HUSON (2x2)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 550 pF @ 10 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 102mOhm @ 2.7A, 4.5V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 485mW (Ta), 6.25W (Tc)
