FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Пакет устройств поставщика 8-SO
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 50 nC @ 10 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 14.9A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 19mOhm @ 9.2A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 6.9W (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2240 pF @ 25 V
