FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7.2A (Ta)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 250µA
- Пакет/кейс 6-UDFN Exposed Pad
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 435 pF @ 10 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 10.8 nC @ 10 V
- Пакет устройств поставщика DFN2020MD-6
- Рассеиваемая мощность (макс.) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 19.5mOhm @ 7A, 10V
