FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Пакет/кейс 6-UDFN Exposed Pad
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4.7A (Ta)
- Пакет устройств поставщика DFN2020MD-6
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 50mOhm @ 4.7A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 26 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 860 pF @ 15 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
