FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
PMT29EN,115
Модель：
PMT29EN,115
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
NXP Semiconductors
Описание：
MOSFET N-CH 30V 6A SOT223
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 250µA
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Пакет/кейс TO-261-4, TO-261AA
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6A (Ta)
- Пакет устройств поставщика SC-73
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11 nC @ 10 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 29mOhm @ 6A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 492 pF @ 15 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 820mW (Ta), 8.33W (Tc)
