FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Пакет/кейс TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Пакет устройств поставщика TO-236AB
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
- ВГС (Макс) ±8V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 4.5V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 500mW (Ta)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 900mV @ 250µA
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 3.2A (Ta)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 24 pF @ 10 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 66mOhm @ 3.2A, 4.5V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15.7 nC @ 4.5 V
