FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
PMZB350UPE,315
Модель：
PMZB350UPE,315
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Nexperia
Описание：
MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006B-3
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
- ВГС (Макс) ±8V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 4.5V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1A (Ta)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 950mV @ 250µA
- Пакет устройств поставщика DFN1006B-3
- Пакет/кейс 3-XFDFN
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 450mOhm @ 300mA, 4.5V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 1.9 nC @ 4.5 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 127 pF @ 10 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 360mW (Ta), 3.125W (Tc)
