FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Пакет устройств поставщика TO-220AB
- Пакет/кейс TO-220-3
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9 nC @ 10 V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.15V @ 1mA
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30A (Tc)
- Рассеиваемая мощность (макс.) 41W (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 22mOhm @ 5A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 447 pF @ 15 V
