FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 1mA
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 V
- Пакет устройств поставщика LFPAK56, Power-SO8
- Пакет/кейс SC-100, SOT-669
- Рассеиваемая мощность (макс.) 113W (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 30.7 nC @ 10 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 21.5A (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 102mOhm @ 12A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1568 pF @ 30 V
