FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 100A (Tc)
- Пакет устройств поставщика TO-220AB
- Пакет/кейс TO-220-3
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 270W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.15V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 170 nC @ 10 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 25A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 10180 pF @ 12 V
