FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
PSMN3R8-30LL,115
Модель：
PSMN3R8-30LL,115
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
NXP Semiconductors
Описание：
MOSFET N-CH 30V 40A 8DFN
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс 8-VDFN Exposed Pad
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 40A (Tc)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.15V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 38 nC @ 10 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 69W (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 10A, 10V
- Пакет устройств поставщика 8-DFN3333 (3.3x3.3)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2085 pF @ 15 V
