FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Пакет устройств поставщика TO-220AB
- Пакет/кейс TO-220-3
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 1mA
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5600 pF @ 25 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 130A (Tc)
- Рассеиваемая мощность (макс.) 263W (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 103 nC @ 10 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 25A, 10V
