FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
PSMN5R6-100XS,127
Модель：
PSMN5R6-100XS,127
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
NXP Semiconductors
Описание：
MOSFET N-CH 100V 61.8A TO220F
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 175°C (TJ)
- Пакет/кейс TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
- Пакет устройств поставщика TO-220F
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 1mA
- Рассеиваемая мощность (макс.) 60W (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 145 nC @ 10 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5.6mOhm @ 15A, 10V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 61.8A (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 8061 pF @ 50 V
