FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
QS5U17TR
Модель：
QS5U17TR
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
ROHM Semiconductor
Описание：
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.5V, 4.5V
- ВГС (Макс) ±12V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2A (Ta)
- Рассеиваемая мощность (макс.) 900mW (Ta)
- Пакет устройств поставщика TSMT5
- Особенность полевого транзистора Schottky Diode (Isolated)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 1mA
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2A, 4.5V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 3.9 nC @ 4.5 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 175 pF @ 10 V
