FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
R6007ENX
Модель：
R6007ENX
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
ROHM Semiconductor
Описание：
MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
Инкапсуляция：
Bulk
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
- Пакет/кейс TO-220-3 Full Pack
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 390 pF @ 25 V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика TO-220FM
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 20 nC @ 10 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7A (Tc)
- Рассеиваемая мощность (макс.) 40W (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 620mOhm @ 2.4A, 10V
