R6020ANZC8

R6020ANZC8

Модель: R6020ANZC8
Бренд: ROHM Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Инкапсуляция: Tube
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±30V
  • Пакет устройств поставщика TO-3PF
  • Пакет/кейс TO-3P-3 Full Pack
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 20A (Tc)
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 65 nC @ 10 V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 120W (Tc)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 220mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4.15V @ 1mA
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2040 pF @ 25 V