FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
R6025FNZ1C9
Модель：
R6025FNZ1C9
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
ROHM Semiconductor
Описание：
MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±30V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 150W (Tc)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
- Пакет/кейс TO-247-3
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 25A (Tc)
- Пакет устройств поставщика TO-247
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 85 nC @ 10 V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 1mA
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3500 pF @ 25 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 180mOhm @ 12.5A, 10V
