FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
R6076ENZ1C9
Модель：
R6076ENZ1C9
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
ROHM Semiconductor
Описание：
MOSFET N-CH 600V 76A TO247
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
- Пакет/кейс TO-247-3
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 1mA
- Пакет устройств поставщика TO-247
- Рассеиваемая мощность (макс.) 120W (Tc)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 76A (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6500 pF @ 25 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 260 nC @ 10 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 42mOhm @ 44.4A, 10V
