FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
RCD075N19TL
Модель：
RCD075N19TL
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
ROHM Semiconductor
Описание：
MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±30V
- Пакет/кейс TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.5V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 30 nC @ 10 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4V, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1100 pF @ 25 V
- Пакет устройств поставщика CPT3
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7.5A (Tc)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 190 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 336mOhm @ 3.8A, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 850mW (Ta), 20W (Tc)
