FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
RCJ081N20TL
Модель：
RCJ081N20TL
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
ROHM Semiconductor
Описание：
MOSFET N-CH 200V 8A LPTS
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±30V
- Пакет/кейс TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8A (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 8.5 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 330 pF @ 25 V
- Пакет устройств поставщика LPTS
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5.25V @ 1mA
- Рассеиваемая мощность (макс.) 1.56W (Ta), 40W (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 770mOhm @ 4A, 10V
