RDD023N50TL

RDD023N50TL

Модель: RDD023N50TL
Бренд: ROHM Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Пакет/кейс TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2A (Tc)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 1mA
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 500 V
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4V, 10V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 20W (Tc)
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 11 nC @ 10 V
  • Пакет устройств поставщика CPT3
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 5.4Ohm @ 1A, 10V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 151 pF @ 25 V