RDD050N20TL

RDD050N20TL

Модель: RDD050N20TL
Бренд: ROHM Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
Инкапсуляция: Tape & Reel (TR)
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±30V
  • Пакет/кейс TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 1mA
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 5A (Ta)
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 20W (Tc)
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9.3 nC @ 10 V
  • Пакет устройств поставщика CPT3
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 720mOhm @ 2.5A, 10V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 292 pF @ 10 V