FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
RDN080N25FU6
Модель：
RDN080N25FU6
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
ROHM Semiconductor
Описание：
MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±30V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 250 V
- Пакет/кейс TO-220-3 Full Pack
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 1mA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 30 nC @ 10 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 8A (Ta)
- Рассеиваемая мощность (макс.) 35W (Tc)
- Пакет устройств поставщика TO-220FN
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 500mOhm @ 4A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 543 pF @ 10 V
