RDR005N25TL

RDR005N25TL

Модель: RDR005N25TL
Бренд: ROHM Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 250V 500MA TSMT3
Инкапсуляция: Tape & Reel (TR)
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 250 V
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4V, 10V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 500mA (Ta)
  • Пакет устройств поставщика TSMT3
  • Пакет/кейс SC-96
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 3V @ 1mA
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 540mW (Ta)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 70 pF @ 25 V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 3.5 nC @ 10 V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 8.8Ohm @ 250mA, 10V