FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
RHU002N06T106
Модель：
RHU002N06T106
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
ROHM Semiconductor
Описание：
MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Пакет/кейс SC-70, SOT-323
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
- ВГС (Макс) ±20V
- Пакет устройств поставщика UMT3
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4V, 10V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 200mA (Ta)
- Рассеиваемая мощность (макс.) 200mW (Ta)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 15 pF @ 10 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.4Ohm @ 200mA, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 4.4 nC @ 10 V
