FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
RJK0601DPN-E0#T2
Модель：
RJK0601DPN-E0#T2
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 60V 110A TO220AB
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Пакет устройств поставщика TO-220AB
- Пакет/кейс TO-220-3
- Рассеиваемая мощность (макс.) 200W (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 55A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 10000 pF @ 10 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 141 nC @ 10 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 110A (Ta)
