FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
RJK0853DPB-00#J5
Модель：
RJK0853DPB-00#J5
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 80V 40A LFPAK
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 80 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 40 nC @ 4.5 V
- Пакет/кейс SC-100, SOT-669
- Рассеиваемая мощность (макс.) 65W (Tc)
- Пакет устройств поставщика LFPAK
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 40A (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 8mOhm @ 20A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 6170 pF @ 10 V
