FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
RJK6025DPD-00#J2
Модель：
RJK6025DPD-00#J2
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 600V 1A MP3A
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±30V
- Пакет/кейс TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 5V @ 1mA
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1A (Ta)
- Пакет устройств поставщика MP-3A
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 5 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 37.5 pF @ 25 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 29.7W (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 17.5Ohm @ 500mA, 10V
