FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
RJK60S7DPK-M0#T0
Модель：
RJK60S7DPK-M0#T0
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 600V 30A TO3PSG
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 39 nC @ 10 V
- Пакет/кейс TO-3P-3, SC-65-3
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 30A (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2300 pF @ 25 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 125mOhm @ 15A, 10V
- ВГС (Макс) +30V, -20V
- Пакет устройств поставщика TO-3PSG
- Рассеиваемая мощность (макс.) 227.2W (Tc)
