FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
RJL6012DPE-00#J3
Модель：
RJL6012DPE-00#J3
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 600V 10A 4LDPAK
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±30V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 28 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1050 pF @ 25 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10A (Ta)
- Рассеиваемая мощность (макс.) 100W (Tc)
- Пакет устройств поставщика LDPAK
- Пакет/кейс SC-83
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.1Ohm @ 5A, 10V
